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高溫爐爐內(nèi)氣氛對(duì)硅碳棒的影響有哪些

2017-06-12
高溫爐在使用過(guò)程中,根據(jù)工藝需要會(huì)通入保護(hù)氣體,那么這些氣體會(huì)對(duì)硅碳棒參數(shù)怎樣的影響呢?
水蒸氣的影響:水蒸氣(H2O)在1100℃時(shí)與SiC發(fā)生強(qiáng)烈化學(xué)反應(yīng),生成Si、SiO2和C。硅碳棒表面出現(xiàn)裂紋,電阻增長(zhǎng)速度很快。
二氧化硫(SO2)的影響:SO2在1300℃與SiC反應(yīng),故使用溫度應(yīng)控制在1300℃以下。
氮?dú)猓∟2)的影響:當(dāng)硅碳棒表面溫度達(dá)到1400℃時(shí),N2就與SiC發(fā)生反應(yīng),生成氮化硅,使硅碳棒的電阻值顯著增長(zhǎng)。
干燥空氣的影響:硅碳棒能在高溫(1600℃)、干燥的空氣中長(zhǎng)期使用,電阻緩慢增加。氧氣(O2)與SiC在高溫時(shí)發(fā)生反應(yīng),生成二氧化硅(SiO2)。由于硅碳棒表面形成了一層SiO2保護(hù)膜,因此硅碳棒具有很強(qiáng)的抗氧化性。
氫氣(H2)的影響:在1250℃時(shí),H2與SiC發(fā)生反應(yīng),生成甲烷(CH4),破壞SiC發(fā)熱體。
氯氣(Cl2)的影響:Cl2在600℃時(shí)就會(huì)與SiC發(fā)生反應(yīng),在1200℃時(shí),Cl2會(huì)把硅碳棒完全分解。
氨氣(NH3)的影響:NH3在高溫時(shí)可分解成成N2和H2。故使用溫度應(yīng)控制在1250℃以下。
好了,本小編也就知道這么多了,有不詳細(xì)的地方,還請(qǐng)多多包涵。

高溫爐爐內(nèi)氣氛對(duì)硅碳棒的影響有哪些

高溫爐在使用過(guò)程中,根據(jù)工藝需要會(huì)通入保護(hù)氣體,那么這些氣體會(huì)對(duì)硅碳棒參數(shù)怎樣的影響呢?
水蒸氣的影響:水蒸氣(H2O)在1100℃時(shí)與SiC發(fā)生強(qiáng)烈化學(xué)反應(yīng),生成Si、SiO2和C。硅碳棒表面出現(xiàn)裂紋,電阻增長(zhǎng)速度很快。
二氧化硫(SO2)的影響:SO2在1300℃與SiC反應(yīng),故使用溫度應(yīng)控制在1300℃以下。
氮?dú)猓∟2)的影響:當(dāng)硅碳棒表面溫度達(dá)到1400℃時(shí),N2就與SiC發(fā)生反應(yīng),生成氮化硅,使硅碳棒的電阻值顯著增長(zhǎng)。
干燥空氣的影響:硅碳棒能在高溫(1600℃)、干燥的空氣中長(zhǎng)期使用,電阻緩慢增加。氧氣(O2)與SiC在高溫時(shí)發(fā)生反應(yīng),生成二氧化硅(SiO2)。由于硅碳棒表面形成了一層SiO2保護(hù)膜,因此硅碳棒具有很強(qiáng)的抗氧化性。
氫氣(H2)的影響:在1250℃時(shí),H2與SiC發(fā)生反應(yīng),生成甲烷(CH4),破壞SiC發(fā)熱體。
氯氣(Cl2)的影響:Cl2在600℃時(shí)就會(huì)與SiC發(fā)生反應(yīng),在1200℃時(shí),Cl2會(huì)把硅碳棒完全分解。
氨氣(NH3)的影響:NH3在高溫時(shí)可分解成成N2和H2。故使用溫度應(yīng)控制在1250℃以下。
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